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IXFA12N65X2

IXFA12N65X2

IXFA12N65X2

IXYS

MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA

compliant

IXFA12N65X2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
50 $2.38500 $119.25
204 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 310mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1134 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 180W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263 (IXFA)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

FDP045N10A-F102
FDP045N10A-F102
$0 $/morceau
PHK31NQ03LT,518
PJA3414_R1_00001
IRF840ASTRRPBF
IRF840ASTRRPBF
$0 $/morceau
IPI60R385CP
NTGS3441T1G
NTGS3441T1G
$0 $/morceau
2SK160A-L-A
RM12P30S8
RM12P30S8
$0 $/morceau
SIHB33N60ET1-GE3
BSS138BKW,115
BSS138BKW,115
$0 $/morceau

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