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IXFN132N50P3

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B

non conforme

IXFN132N50P3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $25.92000 $25.92
10 $23.97600 $239.76
100 $20.47680 $2047.68
500 $18.14400 $9072
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 112A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 39mOhm @ 66A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 8mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 250 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 18600 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1500W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-227B
paquet / étui SOT-227-4, miniBLOC
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Numéro de pièce associé

IPP055N08NF2SAKMA1
NTD23N03RG
NTD23N03RG
$0 $/morceau
STP11N65M5
STP11N65M5
$0 $/morceau
APT20M11JVFR
RUR040N02TL
RUR040N02TL
$0 $/morceau
BSS84W
DMJ7N70SK3-13
IPI041N12N3GAKSA1

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