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IXFN170N65X2

IXFN170N65X2

IXFN170N65X2

IXYS

MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B

non conforme

IXFN170N65X2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $37.92000 $37.92
10 $35.07600 $350.76
100 $29.95680 $2995.68
1 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 170A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 13mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 8mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 434 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 27000 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1170W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-227B
paquet / étui SOT-227-4, miniBLOC
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Numéro de pièce associé

IXFT70N65X3HV
IXFT70N65X3HV
$0 $/morceau
ZDX080N50
ZDX080N50
$0 $/morceau
SIHB065N60E-GE3
SI7884BDP-T1-E3
SQA410CEJW-T1_GE3
IPP023N04NGXKSA1
BUK7508-40B,127
FDPF16N50UT

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