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IXFN26N90

IXFN26N90

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IXYS

MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

IXFN26N90 Fiche de données

compliant

IXFN26N90 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $34.16000 $34.16
10 $31.59800 $315.98
30 $29.03600 $871.08
100 $26.98640 $2698.64
250 $24.76600 $6191.5
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 900 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 26A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 300mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 8mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 240 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 10800 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 600W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-227B
paquet / étui SOT-227-4, miniBLOC
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Numéro de pièce associé

BSC0503NSIATMA1
SI3440ADV-T1-GE3
NDS335N
NDS335N
$0 $/morceau
TPH3208PS
TPH3208PS
$0 $/morceau
SUD25N15-52-T4-E3
BUK763R1-60E,118
AOW7S60
STD9N60M2
STD9N60M2
$0 $/morceau
DI040N03PT-AQ

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