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IXFN32N100P

IXFN32N100P

IXFN32N100P

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

SOT-23

non conforme

IXFN32N100P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
10 $25.03100 $250.31
950 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 1000 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 27A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 320mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) à id 6.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 225 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 14200 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 690W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-227B
paquet / étui SOT-227-4, miniBLOC
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Numéro de pièce associé

IRF100S201
FDT4N50NZU
FDT4N50NZU
$0 $/morceau
SIHP065N60E-GE3
NTHD2110TT1G
NTHD2110TT1G
$0 $/morceau
IRF644STRRPBF
IRF644STRRPBF
$0 $/morceau
BUZ21
BUZ21
$0 $/morceau
STP10NM60ND
STP10NM60ND
$0 $/morceau
FDI030N06
FDI030N06
$0 $/morceau
BTS131E3045ANTMA1

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