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IXFN34N80

IXFN34N80

IXFN34N80

IXYS

MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B

IXFN34N80 Fiche de données

compliant

IXFN34N80 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
10 $30.74700 $307.47
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 34A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 240mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 8mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 270 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 7500 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 600W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-227B
paquet / étui SOT-227-4, miniBLOC
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Numéro de pièce associé

RQ3E100BNTB1
RQ3E100BNTB1
$0 $/morceau
FDMB668P
IXFH170N10P
IXFH170N10P
$0 $/morceau
PJE8472B_R1_00001
DMTH6004SCTB-13
AONS36348
NVMYS1D2N04CLTWG
NVMYS1D2N04CLTWG
$0 $/morceau
QS5U27TR
QS5U27TR
$0 $/morceau

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