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IXFN80N50P

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B

non conforme

IXFN80N50P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $24.22000 $24.22
10 $22.40400 $224.04
30 $20.58700 $617.61
100 $19.13380 $1913.38
250 $17.55952 $4389.88
500 $16.71180 $8355.9
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 66A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 65mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 8mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 195 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 12700 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 700W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-227B
paquet / étui SOT-227-4, miniBLOC
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Numéro de pièce associé

BSZ034N04LSATMA1
NTHL082N65S3F
NTHL082N65S3F
$0 $/morceau
STP13NK60ZFP
STP13NK60ZFP
$0 $/morceau
IRF4905STRRPBF
SI4896DY-T1-E3
SI4896DY-T1-E3
$0 $/morceau
IRFPG30PBF
IRFPG30PBF
$0 $/morceau
RM140N150T2
RM140N150T2
$0 $/morceau
FDPF5N50NZF
FCPF260N65FL1
SIHB24N80AE-GE3

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