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IXFN82N60P

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IXFN82N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B

compliant

IXFN82N60P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $29.04000 $29.04
10 $26.86200 $268.62
30 $24.68400 $740.52
100 $22.94160 $2294.16
250 $21.05400 $5263.5
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 72A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 75mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 8mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 240 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 23000 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1040W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-227B
paquet / étui SOT-227-4, miniBLOC
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Numéro de pièce associé

SIHD3N50D-E3
SIHD3N50D-E3
$0 $/morceau
FDS2582
FDS2582
$0 $/morceau
IXTP24N65X2M
IXTP24N65X2M
$0 $/morceau
2SK1526-E
IRF710SPBF
IRF710SPBF
$0 $/morceau
IXTA76N25T-TRL
IXTA76N25T-TRL
$0 $/morceau
IRFR9120PBF
IRFR9120PBF
$0 $/morceau
SIHA25N50E-GE3
SIHA25N50E-GE3
$0 $/morceau
IPD60R600PFD7SAUMA1

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