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IXFP22N65X2M

IXFP22N65X2M

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IXYS

MOSFET N-CH 650V 22A TO220

SOT-23

non conforme

IXFP22N65X2M Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
50 $2.76760 $138.38
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 22A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 145mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 1.5mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2190 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 37W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220 Isolated Tab
paquet / étui TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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Numéro de pièce associé

VN0300L-G
VN0300L-G
$0 $/morceau
PSMN3R5-25MLDX
DMN2041L-7
DMN2041L-7
$0 $/morceau
DMP21D0UFB4-7B
IQE006NE2LM5ATMA1
IRF7780MTRPBF
NTMFS5H409NLT1G
NTMFS5H409NLT1G
$0 $/morceau
FQP6N80
FQP6N80
$0 $/morceau
STH240N10F7-2

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