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IXFR32N100P

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IXFR32N100P

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247

compliant

IXFR32N100P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
30 $15.63267 $468.9801
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 1000 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 18A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 340mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) à id 6.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 225 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 14200 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 320W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur ISOPLUS247™
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

SI1499DH-T1-BE3
NTMFS4C032NT1G
NTMFS4C032NT1G
$0 $/morceau
PSMN1R7-25YLDX
NTBG020N090SC1
NTBG020N090SC1
$0 $/morceau
IXTQ96N20P
IXTQ96N20P
$0 $/morceau
RQ6E060ATTCR
RQ6E060ATTCR
$0 $/morceau
BTS282ZE3180AATMA2
FQP3N90
FQP3N90
$0 $/morceau
AON4407
SIHG068N60EF-GE3

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