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IXFT13N100

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO268

non conforme

IXFT13N100 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 1000 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12.5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 900mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 4mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4000 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 300W (Tc)
température de fonctionnement -
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-268AA
paquet / étui TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Numéro de pièce associé

FQU5N50CTU
FQU5N50CTU
$0 $/morceau
IRF3717TRPBF-1
RZY200P01TL
RZY200P01TL
$0 $/morceau
AOB20C60L
STF26NM60N-H
STF26NM60N-H
$0 $/morceau
NVD5414NT4G
NVD5414NT4G
$0 $/morceau
IRF7807VD1
IRF2903ZSTRLP
BSP125 E6433

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