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IXFT26N60P

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 26A TO268

compliant

IXFT26N60P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
30 $5.45300 $163.59
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 26A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 270mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 4mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4150 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 460W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-268AA
paquet / étui TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Numéro de pièce associé

SQJ463EP-T1_GE3
SI7423DN-T1-GE3
IRF630STRRPBF
IRF630STRRPBF
$0 $/morceau
AOB2606L
SQJA86EP-T1_BE3
IRFU5410PBF
RXH125N03TB1
RXH125N03TB1
$0 $/morceau
IPP075N15N3GXKSA1

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