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IXFT69N30P

IXFT69N30P

IXFT69N30P

IXYS

MOSFET N-CH 300V 69A TO268

compliant

IXFT69N30P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
30 $8.05667 $241.7001
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 300 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 69A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 49mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 4mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4960 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 500W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-268AA
paquet / étui TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Numéro de pièce associé

STW34N65M5
STW34N65M5
$0 $/morceau
BSC190N15NS3GATMA1
DMT10H015LCG-7
FDMC86139P
FDMC86139P
$0 $/morceau
FDS86141
FDS86141
$0 $/morceau
R6020JNZ4C13
R6020JNZ4C13
$0 $/morceau
FQB20N06TM
PSMN010-25YLC,115
PSMN010-25YLC,115
$0 $/morceau
IXFN44N80P
IXFN44N80P
$0 $/morceau
STD3NK60Z-1
STD3NK60Z-1
$0 $/morceau

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