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IXFX26N90

IXFX26N90

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IXYS

MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247

IXFX26N90 Fiche de données

compliant

IXFX26N90 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
30 $17.94500 $538.35
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 900 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 26A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 300mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 8mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 240 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 10800 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 560W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PLUS247™-3
paquet / étui TO-247-3 Variant
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Numéro de pièce associé

APT77N60BC6
NTLUS3192PZTAG
NTLUS3192PZTAG
$0 $/morceau
DMG4710SSS-13
NTMFS5C646NLT1G
NTMFS5C646NLT1G
$0 $/morceau
DMTH6010SCT
DMTH6010SCT
$0 $/morceau
ZXMN6A07ZTA
ZXMN6A07ZTA
$0 $/morceau
FQD20N06TM
FQD20N06TM
$0 $/morceau
AOI409
PSMN2R0-40YLDX
BUK7214-75B,118

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