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IXKN45N80C

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

non conforme

IXKN45N80C Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
10 $34.75600 $347.56
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 44A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 74mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.9V @ 4mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 360 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET Super Junction
puissance dissipée (max) 380W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-227B
paquet / étui SOT-227-4, miniBLOC
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Numéro de pièce associé

NVMFSW6D1N08HT1G
NVMFSW6D1N08HT1G
$0 $/morceau
R6020ENZ1C9
R6020ENZ1C9
$0 $/morceau
IXFH20N100P
IXFH20N100P
$0 $/morceau
SUM60N02-3M9P-E3
ZXMP6A13FQTA
AO3418
IPD50N04S4L08ATMA1
BUK7905-40AI,127
IRF200P222

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