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IXTA1N170DHV

IXTA1N170DHV

IXTA1N170DHV

IXYS

MOSFET N-CH 1700V 1A TO263

SOT-23

non conforme

IXTA1N170DHV Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
50 $11.45160 $572.58
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 1700 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 16Ohm @ 500mA, 0V
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs 47 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3090 pF @ 25 V
fonctionnalité FET Depletion Mode
puissance dissipée (max) 290W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263HV
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IRFR014TRPBF
IRFR014TRPBF
$0 $/morceau
IRFP9240
IRFP9240
$0 $/morceau
PJL9438A_R2_00001
IPD50N03S2L06ATMA1
PSMN012-25YLC,115
PSMN012-25YLC,115
$0 $/morceau
IXFK44N50P
IXFK44N50P
$0 $/morceau
STFI26N60M2
STFI26N60M2
$0 $/morceau
NTP082N65S3F
NTP082N65S3F
$0 $/morceau

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