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IXTA2R4N120P-TRL

IXTA2R4N120P-TRL

IXTA2R4N120P-TRL

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263

compliant

IXTA2R4N120P-TRL Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.46028 $4.46028
500 $4.4156772 $2207.8386
1000 $4.3710744 $4371.0744
1500 $4.3264716 $6489.7074
2000 $4.2818688 $8563.7376
2500 $4.237266 $10593.165
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 1200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.5Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1207 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 125W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263 (D2Pak)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

SCT4062KRC15
SCT4062KRC15
$0 $/morceau
SQ2364EES-T1_BE3
IRL2910PBF
AUIRF7675M2TR
SIR426DP-T1-GE3
NVMFS016N06CT1G
NVMFS016N06CT1G
$0 $/morceau
EKI06051
EKI06051
$0 $/morceau
RQ6C050UNTR
RQ6C050UNTR
$0 $/morceau
IRF5305PBF
PSMN1R1-30PL,127

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