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IXTA36N30P

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IXYS

MOSFET N-CH 300V 36A TO263

non conforme

IXTA36N30P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.47000 $3.47
50 $2.79000 $139.5
100 $2.54200 $254.2
500 $2.05840 $1029.2
1,000 $1.73600 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 300 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 36A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 110mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) à id 5.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2250 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 300W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263AA
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

SIHG25N40D-GE3
SIHG25N40D-GE3
$0 $/morceau
IRF7403TRPBF
SQJ860EP-T1_BE3
FCPF099N65S3
FCPF099N65S3
$0 $/morceau
IRFS7730TRL7PP
IRFR9110PBF
IRFR9110PBF
$0 $/morceau
IPD70P04P4L08ATMA2
BUK9615-100E,118
BUK9615-100E,118
$0 $/morceau
BSS84-TP
BSS84-TP
$0 $/morceau
PMV50ENEAR
PMV50ENEAR
$0 $/morceau

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