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IXTA3N100D2

IXTA3N100D2

IXTA3N100D2

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263

non conforme

IXTA3N100D2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.00000 $4
50 $3.21760 $160.88
100 $2.93150 $293.15
500 $2.37380 $1186.9
1,000 $2.00200 -
4 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 1000 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs 37.5 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1020 pF @ 25 V
fonctionnalité FET Depletion Mode
puissance dissipée (max) 125W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263AA
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

SI4838DY-T1-GE3
MMBF0201NLT1G
MMBF0201NLT1G
$0 $/morceau
SIR167DP-T1-GE3
NTMFS6H852NLT1G
NTMFS6H852NLT1G
$0 $/morceau
SIRA72DP-T1-GE3
IRFR24N15DTRPBF
FDD5353
FDD5353
$0 $/morceau
IRL2910STRLPBF
BUK6D43-40PX
BUK6D43-40PX
$0 $/morceau
RRQ045P03TR
RRQ045P03TR
$0 $/morceau

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