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IXTA80N10T-TRL

IXTA80N10T-TRL

IXTA80N10T-TRL

IXYS

MOSFET N-CH 100V 80A TO263

compliant

IXTA80N10T-TRL Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.36321 $2.36321
500 $2.3395779 $1169.78895
1000 $2.3159458 $2315.9458
1500 $2.2923137 $3438.47055
2000 $2.2686816 $4537.3632
2500 $2.2450495 $5612.62375
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 14mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 100µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3040 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 230W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263 (D2Pak)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

BTS110NKSA1
SCT20N120AG
SCT20N120AG
$0 $/morceau
SQJ409EP-T1_GE3
NVTFS5116PLWFTWG
NVTFS5116PLWFTWG
$0 $/morceau
APT40M70JVR
BSP129L6327
SIR826DP-T1-GE3
SIHP12N50C-E3
SIHP12N50C-E3
$0 $/morceau
BUK9M5R0-40HX
BUK9M5R0-40HX
$0 $/morceau

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