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IXTH16N10D2

IXTH16N10D2

IXTH16N10D2

IXYS

MOSFET N-CH 100V 16A TO247

compliant

IXTH16N10D2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
30 $9.89767 $296.9301
5 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 16A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 0V
rds activé (max) à id, vgs 64mOhm @ 8A, 0V
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs 225 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5700 pF @ 25 V
fonctionnalité FET Depletion Mode
puissance dissipée (max) 830W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247 (IXTH)
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

2SK2341-AZ
NTP5862NG
NTP5862NG
$0 $/morceau
STF5N52K3
STF5N52K3
$0 $/morceau
FQP3N60
FQP3N60
$0 $/morceau
2SK669-AC
2SK669-AC
$0 $/morceau
SIHP050N60E-GE3
APT5010LFLLG
PSMN4R4-80BS,118
SI3473CDV-T1-E3

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