Welcome to ichome.com!

logo
Maison

IXTH16N20D2

IXTH16N20D2

IXTH16N20D2

IXYS

MOSFET N-CH 200V 16A TO247

compliant

IXTH16N20D2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $12.36000 $12.36
10 $11.23500 $112.35
30 $10.39233 $311.7699
120 $9.54975 $1145.97
270 $8.70711 $2350.9197
510 $8.14537 $4154.1387
1,020 $7.49000 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 16A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs 73mOhm @ 8A, 0V
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs 208 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5500 pF @ 25 V
fonctionnalité FET Depletion Mode
puissance dissipée (max) 695W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247 (IXTH)
paquet / étui TO-247-3
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

IRFS9N60APBF
IRFS9N60APBF
$0 $/morceau
NTE2933
NTE2933
$0 $/morceau
NTMTS0D7N04CLTXG
NTMTS0D7N04CLTXG
$0 $/morceau
R6006PND3FRATL
NTR1P02LT1G
NTR1P02LT1G
$0 $/morceau
SIHH14N65E-T1-GE3
IPS65R1K0CEAKMA2
NTMS4N01R2G
NTMS4N01R2G
$0 $/morceau
SIA477EDJ-T1-GE3

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.