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IXTH1N250

IXTH1N250

IXTH1N250

IXYS

MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-247AD

IXTH1N250 Fiche de données

compliant

IXTH1N250 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $41.37000 $41.37
500 $40.9563 $20478.15
1000 $40.5426 $40542.6
1500 $40.1289 $60193.35
2000 $39.7152 $79430.4
2500 $39.3015 $98253.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 2500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs 40Ohm @ 750mA, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1660 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AD
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

SI9433BDY-T1-E3
AOT25S65L
FDS3590
FDS3590
$0 $/morceau
BUK7619-100B,118
BUK7619-100B,118
$0 $/morceau
FQB11N40TM
FDMC008N08C
FDMC008N08C
$0 $/morceau
IPD60R950C6ATMA1
AON6403
SQJA72EP-T1_BE3
IXTP180N10T
IXTP180N10T
$0 $/morceau

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