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IXTH26N60P

IXTH26N60P

IXTH26N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 26A TO247

compliant

IXTH26N60P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
30 $5.12500 $153.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 26A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 270mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4150 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 460W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247 (IXTH)
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

STW20NM60
STW20NM60
$0 $/morceau
PJQ4411P_R2_00001
AOD458
SK8403180L
SCH1333-TL-H
SCH1333-TL-H
$0 $/morceau
HUF76423D3
SIHB17N80AE-GE3
FDG311N
FDG311N
$0 $/morceau
NTMTS1D6N10MCTXG
NTMTS1D6N10MCTXG
$0 $/morceau

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