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IXTH2N300P3HV

IXTH2N300P3HV

IXTH2N300P3HV

IXYS

MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV

compliant

IXTH2N300P3HV Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $32.60000 $32.6
30 $27.71000 $831.3
120 $25.75400 $3090.48
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 3000 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 21Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 73 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1890 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 520W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247HV
paquet / étui TO-247-3 Variant
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Numéro de pièce associé

SISS588DN-T1-GE3
IPP60R125C6XKSA1
NTHL082N65S3HF
NTHL082N65S3HF
$0 $/morceau
PJQ2408_R1_00001
BSZ017NE2LS5IATMA1
XP202A0003MR-G
BSS87H6327FTSA1
HUFA75309D3S
SQ4064EY-T1_BE3

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