Welcome to ichome.com!

logo
Maison

IXTH3N150

IXTH3N150

IXTH3N150

IXYS

MOSFET N-CH 1500V 3A TO247

IXTH3N150 Fiche de données

non conforme

IXTH3N150 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
30 $8.36400 $250.92
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 1500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 38.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1375 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 250W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247 (IXTH)
paquet / étui TO-247-3
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

AOT2502L
PJD4NA65_R2_00001
FDB5800
FDB5800
$0 $/morceau
2SK2114-E
NTMFS5C450NLT3G
NTMFS5C450NLT3G
$0 $/morceau
IXFA10N80P-TRL
IXFA10N80P-TRL
$0 $/morceau
IRFS7730TRLPBF
FDW6923
FDW6923
$0 $/morceau
IPP80R450P7XKSA1

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.