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IXTJ4N150

IXTJ4N150

IXTJ4N150

IXYS

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247

IXTJ4N150 Fiche de données

compliant

IXTJ4N150 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
30 $7.44167 $223.2501
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 1500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 6Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 44.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1576 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 110W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

IXFA34N65X3
IXFA34N65X3
$0 $/morceau
APT10035LLLG
DMN3300UQ-7
DMN3300UQ-7
$0 $/morceau
STH315N10F7-2
APT60M75JLL
IPB024N08N5ATMA1
IPP70N10S312AKSA1
NTD78N03-35G
NTD78N03-35G
$0 $/morceau
IXTQ60N20L2
IXTQ60N20L2
$0 $/morceau

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