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IXTJ6N150

IXTJ6N150

IXTJ6N150

IXYS

MOSFET N-CH 1500V 3A TO247

SOT-23

IXTJ6N150 Fiche de données

non conforme

IXTJ6N150 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
30 $9.43000 $282.9
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 1500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 3.85Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 67 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2230 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 125W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

AOW11S65
SI2308BDS-T1-E3
DMT6012LFV-13
PMPB08R5XNX
PMPB08R5XNX
$0 $/morceau
DI045N03PT
DI045N03PT
$0 $/morceau
IXTU8N70X2
IXTU8N70X2
$0 $/morceau
RSH070P05TB1
RSH070P05TB1
$0 $/morceau
NTLJS3180PZTBG
NTLJS3180PZTBG
$0 $/morceau
SI7439DP-T1-E3
SI7439DP-T1-E3
$0 $/morceau
IRFS7787TRLPBF

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