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IXTK120N65X2

IXTK120N65X2

IXTK120N65X2

IXYS

MOSFET N-CH 650V 120A TO264

compliant

IXTK120N65X2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $17.78000 $17.78
25 $14.94800 $373.7
100 $13.73600 $1373.6
500 $11.71600 $5858
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 120A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 24mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 8mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 240 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 13600 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1250W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-264 (IXTK)
paquet / étui TO-264-3, TO-264AA
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Numéro de pièce associé

IXFN44N80Q3
IXFN44N80Q3
$0 $/morceau
CSD18533KCS
CSD18533KCS
$0 $/morceau
RF1S23N06LE
RF1S23N06LE
$0 $/morceau
IRFB11N50APBF
IRFB11N50APBF
$0 $/morceau
IPA50R380CEXKSA2
AOT20N25L
FDP10AN06A0
RM40P07
RM40P07
$0 $/morceau
FCU2250N80Z

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