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IXTN120N25

IXTN120N25

IXTN120N25

IXYS

MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B

compliant

IXTN120N25 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
10 $26.71400 $267.14
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 250 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 120A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs 20mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 360 nC @ 10 V
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 7700 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 730W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-227B
paquet / étui SOT-227-4, miniBLOC
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Numéro de pièce associé

IRFDC20
IRFDC20
$0 $/morceau
PSMN085-150K,518-NEX
BSP170PE6327
FQB10N50CFTM-WS
FQB10N50CFTM-WS
$0 $/morceau
BSS84LT1
BSS84LT1
$0 $/morceau
AO4484_101
IRFB16N50K
IRFB16N50K
$0 $/morceau
STDLED524
STDLED524
$0 $/morceau
IPD90N06S4L-05
SUD50N024-09P-E3

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