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IXTN200N10L2

IXTN200N10L2

IXTN200N10L2

IXYS

MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B

compliant

IXTN200N10L2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $37.40000 $37.4
10 $34.59500 $345.95
25 $31.79000 $794.75
100 $29.54600 $2954.6
250 $27.11500 $6778.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 178A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 11mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 3mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 540 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 23000 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 830W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-227B
paquet / étui SOT-227-4, miniBLOC
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Numéro de pièce associé

FQD30N06TM
FQD30N06TM
$0 $/morceau
FDD120AN15A0-F085
FDD120AN15A0-F085
$0 $/morceau
DMN2450UFB4-7R
BSZ0902NSIATMA1
NTE2375
NTE2375
$0 $/morceau
IRFI7446GPBF
2SK3821-E
2SK3821-E
$0 $/morceau
DMT2004UFDF-13

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