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IXTN79N20

IXTN79N20

IXTN79N20

IXYS

MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B

IXTN79N20 Fiche de données

compliant

IXTN79N20 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
10 $36.44500 $364.45
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 85A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id 4V @ 20mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 400W (Tc)
température de fonctionnement -
type de montage Chassis Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-227B
paquet / étui SOT-227-4, miniBLOC
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Numéro de pièce associé

IXFH70N15
IXFH70N15
$0 $/morceau
STP11NM60N
STP11NM60N
$0 $/morceau
SUM27N20-78-E3
SUM27N20-78-E3
$0 $/morceau
HUF76639P3
HUF76639P3
$0 $/morceau
FQB5N20LTM
FQB5N20LTM
$0 $/morceau
SI1039X-T1-E3
SI1039X-T1-E3
$0 $/morceau
IRFW520ATM
IRFU4105Z
IRFU4105Z
$0 $/morceau
MCPF05N80-BP
IPP35CN10NGXKSA1

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