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IXTP2N65X2

IXTP2N65X2

IXTP2N65X2

IXYS

MOSFET N-CH 650V 2A TO220

compliant

IXTP2N65X2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
50 $1.55000 $77.5
298 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 180 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 55W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

R6030KNXC7
R6030KNXC7
$0 $/morceau
IRLB8721PBF
STP160N75F3
STP160N75F3
$0 $/morceau
RUQ050N02HZGTR
ZXMN2F34FHTA
IRLI630GPBF
IRLI630GPBF
$0 $/morceau
NTD4404N1
NTD4404N1
$0 $/morceau
DMN6075SQ-13
RM17N800HD
RM17N800HD
$0 $/morceau

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