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IXTP32N20T

IXTP32N20T

IXTP32N20T

IXYS

MOSFET N-CH 200V 32A TO220AB

compliant

IXTP32N20T Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
50 $1.87500 $93.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 32A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 72mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1760 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 200W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220-3
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

IRFBC40L
IRFBC40L
$0 $/morceau
IRFZ44L
IRFZ44L
$0 $/morceau
PHB110NQ06LT,118
PHB110NQ06LT,118
$0 $/morceau
IPI08CNE8N G
MMBF5434
MMBF5434
$0 $/morceau
FQB10N20TM
FQB10N20TM
$0 $/morceau
RRS110N03TB1
RRS110N03TB1
$0 $/morceau
STH80N10F7-2
STH80N10F7-2
$0 $/morceau
RRS090N03FU7TB1

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