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IXTP60N10T

IXTP60N10T

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

SOT-23

non conforme

IXTP60N10T Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.89000 $1.89
50 $1.52500 $76.25
100 $1.37250 $137.25
500 $1.06750 $533.75
1,000 $0.88450 -
2,500 $0.85400 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 18mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 50µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2650 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 176W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220-3
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

APT6013LLLG
STL9P3LLH6
STL9P3LLH6
$0 $/morceau
DMPH4023SK3-13
SI7326DN-T1-GE3
IRLR2905TRLPBF
IRFU430BTU
IRFP3077PBF
SI4100DY-T1-GE3
FDD9510L-F085
FDD9510L-F085
$0 $/morceau
SPD02N50C3

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