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IXTP80N12T2

IXTP80N12T2

IXTP80N12T2

IXYS

MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB

compliant

IXTP80N12T2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.92000 $2.92
500 $2.8908 $1445.4
1000 $2.8616 $2861.6
1500 $2.8324 $4248.6
2000 $2.8032 $5606.4
2500 $2.774 $6935
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 120 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 17mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 100µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4740 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 325W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

NTD18N06LT4G
NTD18N06LT4G
$0 $/morceau
ISP650P06NMXTSA1
FDMS7650
FDMS7650
$0 $/morceau
IXFB30N120P
IXFB30N120P
$0 $/morceau
IPD65R190C7ATMA1
FDD306P
FDD306P
$0 $/morceau
FQI5N50CTU
IXTA60N10T
IXTA60N10T
$0 $/morceau
IXTX4N300P3HV
IXTX4N300P3HV
$0 $/morceau
IPI075N15N3GXKSA1

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