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IXTP8N65X2

IXTP8N65X2

IXTP8N65X2

IXYS

MOSFET N-CH 650V 8A TO220

compliant

IXTP8N65X2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
50 $1.30000 $65
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 500mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 800 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 150W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

IRFP440
IRFP440
$0 $/morceau
IPD80R450P7ATMA1
IXTH220N20X4
IXTH220N20X4
$0 $/morceau
SI7415DN-T1-GE3
TN0606N3-G
TN0606N3-G
$0 $/morceau
FDPF51N25RDTU
FDPF51N25RDTU
$0 $/morceau
DMTH6004SK3Q-13
2SK1628-E
STL33N65M2
STL33N65M2
$0 $/morceau
NTMS4802NR2G
NTMS4802NR2G
$0 $/morceau

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