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IXTQ130N20T

IXTQ130N20T

IXTQ130N20T

IXYS

MOSFET N-CH 200V 130A TO3P

compliant

IXTQ130N20T Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $8.70733 $8.70733
500 $8.6202567 $4310.12835
1000 $8.5331834 $8533.1834
1500 $8.4461101 $12669.16515
2000 $8.3590368 $16718.0736
2500 $8.2719635 $20679.90875
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 130A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 16mOhm @ 65A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 8800 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 830W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-3P
paquet / étui TO-3P-3, SC-65-3
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Numéro de pièce associé

UJ4C075044K3S
UJ4C075044K3S
$0 $/morceau
2SK1567-E
DMP4013LFGQ-13
G1003A
G1003A
$0 $/morceau
DMT35M4LFVW-7
AOD294A

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