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IXTQ18N60P

IXTQ18N60P

IXTQ18N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 18A TO3P

compliant

IXTQ18N60P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
30 $3.42000 $102.6
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 18A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 420mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) à id 5.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2500 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 360W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-3P
paquet / étui TO-3P-3, SC-65-3
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Numéro de pièce associé

FCP380N60
FCP380N60
$0 $/morceau
DMP3160LQ-7
DMP3160LQ-7
$0 $/morceau
C2M0025120D
C2M0025120D
$0 $/morceau
NTLJS3A18PZTWG
NTLJS3A18PZTWG
$0 $/morceau
SIHP080N60E-GE3
STP5NK60Z
STP5NK60Z
$0 $/morceau
CSD17575Q3
CSD17575Q3
$0 $/morceau
DMN6040SFDE-7
VN10LP
VN10LP
$0 $/morceau
DMN53D0LQ-7
DMN53D0LQ-7
$0 $/morceau

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