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IXTT100N25P

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IXTT100N25P

IXYS

MOSFET N-CH 250V 100A TO268

non conforme

IXTT100N25P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
30 $8.46667 $254.0001
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 250 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 100A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 24mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 185 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 6300 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 600W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-268AA
paquet / étui TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Numéro de pièce associé

AUIRFS8409-7P
IXTQ52N30P
IXTQ52N30P
$0 $/morceau
SIJ462DP-T1-GE3
IXFA76N15T2
IXFA76N15T2
$0 $/morceau
FDPF33N25TRDTU
FDPF33N25TRDTU
$0 $/morceau
QS5U33TR
QS5U33TR
$0 $/morceau
DMP2045U-13
DMP2045U-13
$0 $/morceau
PSMN4R3-40MSHX
BSL296SNH6327XTSA1
IPB015N04LGATMA1

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