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IXTT120N15P

IXTT120N15P

IXTT120N15P

IXYS

MOSFET N-CH 150V 120A TO268

compliant

IXTT120N15P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
30 $6.06800 $182.04
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 150 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 120A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 16mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4900 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 600W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-268AA
paquet / étui TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Numéro de pièce associé

NTR5103NT1G
NTR5103NT1G
$0 $/morceau
SIA4263DJ-T1-GE3
IAUC100N04S6L020ATMA1
BSS123K-13
BSS123K-13
$0 $/morceau
NTMSD2P102R2SG
NTMSD2P102R2SG
$0 $/morceau
STD7N65M6
STD7N65M6
$0 $/morceau
IPD30N03S2L10ATMA1
SCT4013DRC15
SCT4013DRC15
$0 $/morceau
DMT6015LFV-7
FDS6064N3

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