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IXTT12N150HV

IXTT12N150HV

IXTT12N150HV

IXYS

MOSFET N-CH 1500V 12A TO268

compliant

IXTT12N150HV Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $40.33000 $40.33
30 $34.88000 $1046.4
120 $32.70000 $3924
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 1500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 106 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3720 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 890W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-268AA
paquet / étui TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Numéro de pièce associé

IXTZ550N055T2
IXTZ550N055T2
$0 $/morceau
FDD6606
FDD6606
$0 $/morceau
IRFS7530TRL7PP
SI2356DS-T1-BE3
DMN3200U-7
DMN3200U-7
$0 $/morceau
FQB9N50CFTM
NTP18N06LG
NTP18N06LG
$0 $/morceau
IRFB4115PBF
PMN30UNEX
PMN30UNEX
$0 $/morceau

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