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IXTT16N10D2

IXTT16N10D2

IXTT16N10D2

IXYS

MOSFET N-CH 100V 16A TO268

compliant

IXTT16N10D2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
30 $9.30700 $279.21
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 16A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 0V
rds activé (max) à id, vgs 64mOhm @ 8A, 0V
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs 225 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5700 pF @ 25 V
fonctionnalité FET Depletion Mode
puissance dissipée (max) 830W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-268AA
paquet / étui TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Numéro de pièce associé

SIHB35N60EF-GE3
IRF9Z20PBF
IRF9Z20PBF
$0 $/morceau
AOTF7S60L
IPP120N10S405AKSA1
IXTK170P10P
IXTK170P10P
$0 $/morceau
MTD6N20E1
MTD6N20E1
$0 $/morceau
R6050JNZ4C13
R6050JNZ4C13
$0 $/morceau
IRLH5034TRPBF

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