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IXTT16P60P

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IXYS

MOSFET P-CH 600V 16A TO268

compliant

IXTT16P60P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $10.00000 $10
30 $8.20000 $246
120 $7.40000 $888
510 $6.20000 $3162
1,020 $5.60000 -
802 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 16A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 720mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 92 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5120 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 460W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-268AA
paquet / étui TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Numéro de pièce associé

DMN95H8D5HCT
FDD3672
FDD3672
$0 $/morceau
AOB2910L
IRFP4310ZPBF
IXFN520N075T2
IXFN520N075T2
$0 $/morceau
SIHB12N50C-E3
SIHB12N50C-E3
$0 $/morceau
STWA75N60M6
STWA75N60M6
$0 $/morceau
IPP65R190CFDXKSA2
IRFB3256PBF
DMN61D9UWQ-7

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