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IXTT26N60P

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IXTT26N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 26A TO268

compliant

IXTT26N60P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
30 $6.53967 $196.1901
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 26A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 270mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4150 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 460W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-268AA
paquet / étui TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Numéro de pièce associé

IXTX550N055T2
IXTX550N055T2
$0 $/morceau
IRFR9310TRPBF
IRFR9310TRPBF
$0 $/morceau
BUK7277-55A,118
FDC8601
FDC8601
$0 $/morceau
STW20NM50FD
STW20NM50FD
$0 $/morceau
RQ5L035GNTCL
RQ5L035GNTCL
$0 $/morceau
DMN3007LSSQ-13
FQAF17P10
SQM30010EL_GE3
SQM30010EL_GE3
$0 $/morceau
NTBLS1D5N08MC
NTBLS1D5N08MC
$0 $/morceau

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