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IXTT52N30P

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IXYS

MOSFET N-CH 300V 52A TO268

non conforme

IXTT52N30P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
30 $5.08500 $152.55
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 300 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 52A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 66mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3490 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 400W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-268AA
paquet / étui TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Numéro de pièce associé

BSP135H6906XTSA1
SISH110DN-T1-GE3
IRLP3034PBF
MCH3377-TL-E
MCH3377-TL-E
$0 $/morceau
NTE2922
NTE2922
$0 $/morceau
FDA69N25
FDA69N25
$0 $/morceau
DMG2305UXQ-7
IXTH62N65X2
IXTH62N65X2
$0 $/morceau
RUL035N02TR
RUL035N02TR
$0 $/morceau
FQE10N20CTU

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