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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| fonctionnalité FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tension drain-source (vdss) | 1200V (1.2kV) |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 58A |
| rds activé (max) à id, vgs | - |
| vgs(th) (max) à id | - |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | - |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | - |
| puissance - max | - |
| température de fonctionnement | - |
| type de montage | Surface Mount |
| paquet / étui | 9-PowerSMD |
| package d'appareils du fournisseur | 9-SMPD-B |
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