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3N163 DIE

3N163 DIE

3N163 DIE

P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO

3N163 DIE Fiche de données

non conforme

3N163 DIE Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.36000 $2.36
500 $2.3364 $1168.2
1000 $2.3128 $2312.8
1500 $2.2892 $3433.8
2000 $2.2656 $4531.2
2500 $2.242 $5605
10000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 50mA
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 20V
rds activé (max) à id, vgs 250Ohm @ 100µA, 20V
vgs(th) (max) à id 5V @ 10µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -6.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3500 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur Die
paquet / étui Die
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Numéro de pièce associé

R6011KND3TL1
R6011KND3TL1
$0 $/morceau
APT22F80B
APT22F80B
$0 $/morceau
SIHB5N80AE-GE3
SIHB5N80AE-GE3
$0 $/morceau
AON2409
SIHG17N60D-GE3
SIHG17N60D-GE3
$0 $/morceau
AO4354
IRFR2307ZTRLPBF
IXTY08N100P
IXTY08N100P
$0 $/morceau
RS1G120MNTB
RS1G120MNTB
$0 $/morceau

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