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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | N-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 10 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 50mA (Ta) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 5V, 25V |
rds activé (max) à id, vgs | 50Ohm @ 1mA, 10V |
vgs(th) (max) à id | 1.5V @ 1µA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | - |
vgs (max) | +25V, -15V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | - |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 300mW (Ta) |
température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
package d'appareils du fournisseur | SOT-143-4 |
paquet / étui | TO-253-4, TO-253AA |
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