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1H3G-TP

1H3G-TP

1H3G-TP

DIODE HI EFF R-2

1H3G-TP Fiche de données

non conforme

1H3G-TP Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de diode Standard
tension - courant continu inverse (vr) (max) 200 V
courant - moyen redressé (io) 1A
tension - directe (vf) (max) @ if 1 V @ 1 A
vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 50 ns
courant - fuite inverse @ vr 5 µA @ 200 V
capacité à vr, f 20pF @ 4V, 1MHz
type de montage Through Hole
paquet / étui R-1, Axial
package d'appareils du fournisseur R-1
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 150°C
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Numéro de pièce associé

ES3J R6G
ES2M-TP
ES2M-TP
$0 $/morceau
CDS647UR-1
CDS647UR-1
$0 $/morceau
NXPSC06650DJ
FR10K-TP
FR10K-TP
$0 $/morceau
JANTX1N1188R
SURS5664T3
SURS5664T3
$0 $/morceau
S8GC R6

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